PSRR相关论文
在当前的物联网嵌入式计算领域,12位或以上分辨率的高速高精度模数转换器(ADC)得到了广泛的应用。更高的分辨率能够让用户进行更精......
随着集成电路工艺尺寸越来越小,集成电路已经由单一功能向具备更多更复杂的功能迅速发展。应用于图像传感器的低压差线性稳压器(Lo......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺,设计了一种高精度电流型CMOS带隙基准电压源。仿真结果表明,温度在-40℃~125℃范围内,基准输出电压......
设计了一种基于0.13 μm CMOS工艺的混合结构DC-DC变换器.该变换器由Buck变换器和LDO串联组成.Buck变换器输出电压可根据LDO负载电......
在分析LDO中频段电源噪声抑制比的基础上,采用自适应偏置结构,设计了一种高电源噪声抑制比的LDO电路.通过进一步引入基于高通滤波......
基于0.18μm BCD工艺,设计了一种新型的低功耗指数补偿带隙基准。对高温段进行指数补偿,降低温漂;利用预稳压技术,引入负反馈环路......
设计了一种可修调的高精度、低温漂、高电源电压抑制比的高阶温度补偿带隙基准电压源。在Brokaw型带隙基准电路结构的基础上,采用......
为探测幅值极小、分布频域很低的神经信号,基于gm-ID方法设计了一种低电压、低功耗跨导运算放大器.该运算放大器采用了带增益自举......
介绍了一种基于0.6 μm BiCMOS工艺的高阶曲率补偿、高电源抑制比的带隙基准源.利用三极管电流增益的温度特性来实现低温度系数,并......
A high performance CMOS band-gap voltage reference circuit that can be used in interface integrated circuit of microsens......
利用嵌入式密勒补偿技术，我们设计了一种应用于LDO的高性能放大器。在保证良好的相位裕度和稳定增益带宽的条件下．该放大器还具备高......
本文设计了采用曲率补偿．具有较高的温度稳定性的高精度带隙基准电压源。设计中没有使用运算放大器．电路结构简单，且避免运算放大嚣所......
基于标准0．35umCMOS工艺，采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压，与传统采用PTAT电压作为温度曲率校卫电压相比，获得了一个电路结......
基于SMIC0．35μm的CMOS工艺．设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比......
基于0.6 m BCD工艺参数,设计了一种新颖的低温漂、低功耗、高电源抑制比的自偏置带隙基准电压源。电路仿真结果表明：其工作电源电压......
设计了一种改进的带隙基准电压源，通过采用分段电流补偿的方法，实现了低压高精度供电。研究基于TSMC0．35μmCMOS3V工艺基础，重点考虑主......
设计了一种温度系数可调的带隙基准源,利用控制PTAT电流的大小产生具有不同温度系数的基准电压,仅采用两个双极型晶体管,具有较好......
过去，电源抑制比(PSRR)就已成为一种测量放大器抑制电源输出噪声性能的优异测量方法。但是，由于出现了越来越多的D类放大器，以及其拥......
针对基极一发射极电压与温度呈非线性关系的问题，设计了一种高阶温度补偿方法：通过在PTAT产生电路的基极引入一个小电阻，在基准电压中......
电源电压的变化是影响带隙基准电路稳定性的主要因素之一。本文针对该问题，在采用深度负反馈环路的基础上，增加了一种提高电源电压抑......
介绍一种基于CSMCO．5μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构......
针对传统运算放大器共模抑制比和电源抑制比低的问题，设计了一种差分输入结构的折叠式共源共栅放大器。本设计采用两级结构，第一级为......
基于CMOS电流模式，设计一个可以工作在1V电源电压的低电压带隙参考源。采用0．18μmCMOS工艺模型的仿真结果表明，温度在-20℃-80℃围内......
利用有源PMOS负载反相器组成电压减法器,将电源噪声引入运放反馈,得到了一种高电源抑制比的基准电压源。对基准源的低频电源噪声抑......
针对一阶温度补偿的基准电压源仍有较高的温度系数的问题,本文提出一种分段补偿的设计方法,以降低基准电压源输出电压随温度的漂移......
基准电压源是A/D转换器中非常重要的模块,它的稳定性直接影响着A/D转换器的性能.在TSMC 0.18 μm/3.3 V N-well CMOS工艺条件下,温......
以降压开关电源、LDO以及ADF4350频率综合芯片为测试平台，以自制无源探头、频谱仪作为测试工具，从频谱的角度研究了LDO高频段纹波抑......
本文在对传统CMOS带隙电压基准电路的分析上,综合一阶温度补偿,电流反馈和电阻二次分压的技术整个电路采用CHARTER 0.35um CMOS工......
分析了传统CMOS带隙基准源电路中三极管VBE电流随温度变化的二阶非线性效应，提出了一种对PTAT二阶温度进行补偿的方法，并在此基础上......
依据带隙基准原理,设计了一种基于90 nm BiCMOS工艺的改进型带隙基准源电路。该电路设置运算跨导放大器以实现低压工作,用共源-共......
研究了一种常用Widlar型基准电流源结构，分析电源电压对于基准电流的影响。通过引入小信号分析方法，建立基准电流源的小信号等效模型......
随着便携式设备和物联网技术的飞速发展,系统对 LDO（低压差线性稳压器）提出了越来越高的要求,不仅要求低功耗、低压差,而且要求低噪......
给出一种应用于CMOS运放的高速间接反馈补偿技术，用这种间接反馈补偿技术设计的CMOS运算放大器与（Miller）直接补偿相比，具有高速、低功......
采用0．5μm，N阱CMOS工艺设计一种高精度带隙基准电压源，基准电压为1.245V，在0～70℃内温度系数仅为12．5ppm／℃，工作电压为2．8～8V，具有非常高的......
为了满足IC设计中对基准电源低功耗、低温度系数、高电源抑制比的要求，设计一种带隙基准电压源电路。在对传统带隙基准结构分析的基......
设计了一种应用于工作电压为1.8 V的流水型模数转换器（ADC）的带隙基准源。与传统电流模式带隙基准源不同，该带隙基准源采用曲率补偿技......
设计了一种具有良好稳定性和高精度的带隙基准电压源电路。通过启动电路和提高电源抑制比电路的加入，使得带隙基准电压具有较高的电......
在实际应用电路时,噪声及波动经常不知不觉会引入到供电电压中,从而影响输出端电压。为使电路稳定,需消除或抑制所产生的噪声。文......
设计并实现了一种新的高PSRR、低TC带隙基准源。重点研究了带隙基准源电源抑制能力，尤其是高频PSRR，达到宽频带范围PSRR高性能指标。......
设计了一种新型的、不随电源电压变化的、温度系数很小的nA量级CMOS基准电流源，并分析了该电路的工作原理。该基准电流源不需要使用......
设计了一种应用于物联网芯片的极低功耗电压基准源。由于漏致势垒降低(Drain-Induced Barrier Lowering,DIBL)效应,栅致漏极泄漏(G......
介绍了ADC动态指标测试的常用方法和测试平台的基本组成,着重分析了对ADC性能测试时,输入采样时钟抖动对ADC动态性能的影响。同时......
设计了一种高精度的电流基准电路．电路采用正温度系数和负温度系数的电流并联相加，并考虑了电阻的温度系数，得到与温度无关的基准电流......
随着智能手机、平板电脑等便携式设备的日益普及,LDO（低压差线性稳压器）得到了飞速发展。便携式系统对LDO的效率、瞬态特性、噪声,特......
根据带隙基准电压源理论，在传统CMOS带隙电压源电路结构的基础上，采用曲率补偿技术，对一阶温度补偿电路进行高阶补偿，获得了一种结构简......
